5月29日，我国科学家使用化学制备的系列二维资料，提出一种全新的根据界面耦合的p-掺杂二维半导体办法，打破了硅基逻辑电路的底层“封印”。相关作用在线发表于《天然》。

  经过数十年开展，半导体工艺制程不断迫临亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依托进一步缩小晶体管面内尺度来连续摩尔定律。开展笔直架构的多层互连CMOS逻辑电路，然后取得三维集成技能的打破，是世界半导体范畴活跃探寻的新途径之一。

  因为硅基晶体管的现代工艺选用单晶硅外表离子注入的办法，很难实现在一层离子注入的单晶硅上方再次成长或搬运单晶硅。虽能经过三维空间衔接电极、芯粒等办法进步集成度，可是要害的晶体管一直散布在最底层，没有办法取得“z”方向的自由度。新资料、或颠覆性原理因而成为十分重视的重要打破点。

  论文一起通讯作者、中山大学/北京大学教授侯仰龙表明，该研讨提出的耦合办法，选用界面效应的颠覆性道路，工艺简略、作用安稳，并能有用坚持二维半导体本征的优异功能。进一步，使用笔直堆叠的办法，制备了由14层范德华资料组成、包括4个晶体管的互补型逻辑门NAND以及SRAM等器材。

  该办法打破了硅基逻辑电路的底层“封印”，根据量子效应取得了三维笔直集成多层互补型晶体管电路，为后摩尔年代未来二维半导体器材的开展供给了思路。

  记者得悉，该研讨由侯仰龙团队与中国科学院金属研讨所、辽宁资料实验室、山西大学、中国科学院大学等单位协作完结。这也是侯仰龙团队在二维资料可控组成与功能调控方面，继外尔铁磁资料磁性调控、非层状资料可控成长模型等系列作业以来，又一立异研讨作用。